收藏本站
IXFC 26N50P
26
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
60
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
26
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.1
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 13A Value
v s. Junction Temperature
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 26A
I D = 13A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 13A Value
v s. Drain Current
16
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current v s.
Case Temperature
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T J - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFC36N50P MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220
IXFC60N20 MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
IXFC74N20P MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
IXFC80N085 MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220
IXFC80N10 MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
IXFC96N15P MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220
IXFE180N10 MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227
IXFE180N20 MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
相关代理商/技术参数
IXFC30N60P 功能描述:MOSFET 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC36N50P 功能描述:MOSFET 500V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC40N30Q 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.088W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC52N30P 功能描述:MOSFET 24 Amps 300V 0.066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC52N30P_08 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarHT Power MOSFET HiPerFET
IXFC60N20 功能描述:MOSFET 60 Amps 200V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC74N20P 功能描述:MOSFET 35 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC80N08 功能描述:MOSFET 80 Amps 80V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube